在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？答案: 齐纳击穿; 雪崩击穿

在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？

答案: 齐纳击穿;
雪崩击穿

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相关试题

只要待处理信号足够小，且满足二极管小信号工作条件，我们就可以用二极管的小信号模型来分析该二极管对这个信号的响应。

答案: 错误
分析：还需要有直流偏置已经保证其工作在正向导通状态。

齐纳二极管只能用作稳压用途。

答案: 错误
分析：齐纳二极管也可以工作在正向导通和反向截止，也就是说，只要控制合适，也可以用于整流或开关用途。

整流电路中主要利用的是二极管的单向导电性。

答案: 正确

下面对PN结单向导电性描述正确的是（）

答案: 正向导通，反向截止;
正偏时PN结等效为一个小电阻;
反偏时PN结等效为一个大电阻



第2次半导体器件——场效应管1 第2次测验

某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为_dB，上限截止频率为_Hz，下限截止频率为____Hz。

答案: 60；1000；0

场效应管工作时，参与导电的载流子为（）。

答案: 多子

MOSFET中的导电沟道是指其（）？

答案: 反型层

NEMOSFET饱和区的工作条件为，。

答案: >， >

某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3 kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ 。

答案: 2

在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的_电位，PMOS的衬底应接在电路的_电位。

答案: 最低，最高

电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，，忽略沟道长度调制效应，则电阻=（）kΩ，=（）kΩ。

答案: 3.25， 5

已知某NMOS器件的Vt=1V，，=50V，且工作点电流=0.5mA，则其小信号模型参数=（）mA/V，=( )kΩ。

答案: 1，100

某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（）。

答案: 1000V/V;
60dB

已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。

答案: 状态1：截止区；状态2：饱和区;
状态3：变阻区；状态4：饱和区

当时，能够导通的MOS管为（）。

答案: NDMOSFET;
PDMOSFET

若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。

答案: 该放大器为互导放大器;
理想情况下该放大器输入电阻极高;
理想情况下该放大器输出电阻极高

MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。

答案: 错误

假设NEMOSFET已工作在饱和区，若继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

答案: 错误

在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路。

答案: 错误

如图所示电路，参考CS放大器传输特性曲线，随着升高，MOSFET从饱和区变化到变阻区，临界条件是输入电压比输出电压低。

答案: 错误

MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。

答案: 错误

某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为，上限截止频率为_Hz，下限截止频率为_Hz。

答案: 20dB；；100;
10；；100;
20dB；100000；100

MOSFET中的导电沟道是指其（）。

答案: 反型层

某个以MOS为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现放大器功能，应使其核心器件工作在（）区域。

答案: AB段

某个以MOS为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现数字逻辑电路功能，应使其核心器件工作在（）区域。

答案: OA和BC段

已知MOSFET构成的放大器直流通路和器件物理参数，为判断分该器件是否工作在饱和区，除漏极工作电流外，直流工作点参数还包括哪些？

答案: ;

在MOS的交流小信号等效电路中，是（）。

答案: 器件互导参数;
描述器件在饱和区正向受控作用的关键参数;
描述器件输入输出信号主要控制关系的参数

放大器的直流偏置电路设计目的是（）。

答案: 设置合适的工作点位置，以保证较好的放大效果;
设置合适的交流输入输出范围;
设置稳定的直流工作点

在画放大器直流通路时，所有交流信号源都应短路。

答案: 错误

在画电路的交流通路时，所有外接信号源都应置零处理。

答案: 错误

第3次半导体器件及应用——场效应管2 第3次测验

CD放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

答案: 高，低

CG放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

答案: 低，高

在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。

答案: 不变不变减小

电路如图所示，如果电容C2开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。

答案: 不变增大增大

I=0.5mA，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则RD=（）kΩ。

答案: 15

VDD=VSS=10V，I=0.5mA，RG=4.7MΩ，RD=15kΩ，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），若输入信号由于某种原因，变为了原来的3倍（0.2V→0.6V），则我们改变电路结构由图a变为图b，以保持输出信号大小不变，则RS=（）kΩ。 (a) (b)

答案: 2

用作电压放大器时，CS放大器不合适的参数为（）。

答案: 较高的输出电阻

以下哪个MOS放大器组态结构，最适合用在电压信号处理系统的最后一级？

答案: CD组态

CG放大器的性能描述合理的是（）。

答案: 可用作电流跟随器

CS放大器中引入源极电阻RS，其作用有（）。

答案: 稳定静态工作点;
控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真;
降低电压增益

CD放大器的性能特征有（）。

答案: 可作电压跟随器使用;
可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换

CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。

答案: 正确

CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。

答案: 错误

CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致，因此被称为“源极跟随器”。

答案: 正确

源极上接有RS的CS放大器以牺牲增益为代价，换取放大器线性输入范围的扩展，因此这个RS越大越好。

答案: 错误

CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定，跟输入信号大小无关。

答案: 错误

第4次半导体器件及应用——晶体三极管第4次测验

发射结（EBJ）正偏，集电结（CBJ）反偏时，BJT工作在（）模式。

答案: 放大

集电结由于轻掺杂，因此其正向导通电压与发射结不相同，则工程上一般对NPN型的三极管取VBC(on)一般大小为（）V。（提示：注意）

答案: 0.4

在放大模式下，集电极电流与基极电流之间的电流增益可表示为（）

答案: β

设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。（）

答案: 放大区

试判断如图所示电路的三极管的工作状态，已知β=100，VBE(on)=0.7V。

答案: 放大区

晶体三极管工作在放大状态时，发射结加电压，集电结加电压。

答案: 正偏、反偏

对于NPN型BJT组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压失真；若产生截止失真，则输出电压失真。（负峰、正峰）

答案: 负峰、正峰；

测量某BJT各电极对地电压值如下，，则该晶体管工作在（）。

答案: 饱和区

如图所示电路中，某放大电路中的器件（三极管或场效应管）三个电极A、B、C的电流用万用表直流电流档测得_=2mA，_B=0.02mA，_C=-2.02mA，则此器件的类型是（）

答案: PNP

测得某放大器中BJT的三个电极

3的对地电位分别为V1=9V，V2=6V，V3=6.7V，则此BJT器件的类型为（）

答案: NPN

下列对BJT小信号模型描述正确的语句有（）。

答案: 小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式;
电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了

如图(a)所示的共射放大电路，加入射极反馈电阻RE后变为图(b)，电路性能出现了怎样的变化？ (a) (b)

答案: 增益变小;
线性输入范围变大;
输入电阻变大

晶体三极管放大器直流偏置参数一般包括（）。

答案: ;
;
;

CB放大器性能特征有（）。

答案: 输入电阻极低，不利于电压放大;
输出电阻较高，不利于电压放大;
电流增益小于1但接近于1，可作电流跟随器

CC放大器性能特征有（）。

答案: 输入电阻高;
输出电阻极低;
电压增益小于1，但接近于1;
电压跟随器，适合作放大器的缓冲级

放大电路如图所示，则下面的说法正确的是（）

答案: 该电路为共集电极放大器（射极跟随器）;
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1

放大器电路如图所示，如果电容E 失效（断开），请问对放大器输入电阻和电压增益有何影响( )

答案: 输入电阻增大;
电压增益减小

共集电极放大电路的特点是：输入电阻Ri较高

答案: 正确

共集电极放大电路的特点是：输出电阻Ro较高

答案: 错误

共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。

答案: 正确

由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小，因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多，尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。

答案: 正确

工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时，需要满足一定的工程条件才能使用，该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小，从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。

答案: 正确

晶体管三种基本组态放大电路中，共基组态输入电阻最低，输出电阻最低。

答案: 错误

NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种

答案: 错误

某个以BJT为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现数字逻辑电路功能，应使其核心器件工作在（）区域。

答案: OX和YZ段

某个以BJT为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现信号放大功能，应使其核心器件工作在（）区域。

答案: XY段

BJT三种基本放大器结构中，能用作电压缓冲级的是（）放大器。

答案: 共集;
CC

BJT三种基本放大器结构中，能用做电流缓冲级的是（）放大器。

答案: 共基;
CB

放大电路如图所示，则下面的说法正确的是（）

答案: 该电路为共集电极放大器（射极跟随器）;
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1

放大器电路如图所示，如果电容失效（断开），请问对放大器输入电阻和电压增益有何影响( )

答案: 输入电阻增大;
电压增益减小

NPN器件工作在放大区时有，PNP器件工作在放大区时有同样的结论。

答案: 错误

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