某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（）。答案: 1000V/V; 60dB

某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（）。

答案: 1000V/V;
60dB

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相关试题

已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。

答案: 状态1：截止区；状态2：饱和区;
状态3：变阻区；状态4：饱和区

当时，能够导通的MOS管为（）。

答案: NDMOSFET;
PDMOSFET

若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。

答案: 该放大器为互导放大器;
理想情况下该放大器输入电阻极高;
理想情况下该放大器输出电阻极高

MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。

答案: 错误

假设NEMOSFET已工作在饱和区，若继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

答案: 错误

在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路。

答案: 错误

如图所示电路，参考CS放大器传输特性曲线，随着升高，MOSFET从饱和区变化到变阻区，临界条件是输入电压比输出电压低。

答案: 错误

MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。

答案: 错误

某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为，上限截止频率为_Hz，下限截止频率为_Hz。

答案: 20dB；；100;
10；；100;
20dB；100000；100

MOSFET中的导电沟道是指其（）。

答案: 反型层

某个以MOS为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现放大器功能，应使其核心器件工作在（）区域。

答案: AB段

某个以MOS为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现数字逻辑电路功能，应使其核心器件工作在（）区域。

答案: OA和BC段

已知MOSFET构成的放大器直流通路和器件物理参数，为判断分该器件是否工作在饱和区，除漏极工作电流外，直流工作点参数还包括哪些？

答案: ;

在MOS的交流小信号等效电路中，是（）。

答案: 器件互导参数;
描述器件在饱和区正向受控作用的关键参数;
描述器件输入输出信号主要控制关系的参数

放大器的直流偏置电路设计目的是（）。

答案: 设置合适的工作点位置，以保证较好的放大效果;
设置合适的交流输入输出范围;
设置稳定的直流工作点

在画放大器直流通路时，所有交流信号源都应短路。

答案: 错误

在画电路的交流通路时，所有外接信号源都应置零处理。

答案: 错误

第3次半导体器件及应用——场效应管2 第3次测验

CD放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

答案: 高，低

CG放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

答案: 低，高

在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。

答案: 不变不变减小

电路如图所示，如果电容C2开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。

答案: 不变增大增大

I=0.5mA，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），要实现增益为15倍的放大电路，则RD=（）kΩ。

答案: 15

VDD=VSS=10V，I=0.5mA，RG=4.7MΩ，RD=15kΩ，Vt=1.5V，，VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出电容），若输入信号由于某种原因，变为了原来的3倍（0.2V→0.6V），则我们改变电路结构由图a变为图b，以保持输出信号大小不变，则RS=（）kΩ。 (a) (b)

答案: 2

用作电压放大器时，CS放大器不合适的参数为（）。

答案: 较高的输出电阻

以下哪个MOS放大器组态结构，最适合用在电压信号处理系统的最后一级？

答案: CD组态

CG放大器的性能描述合理的是（）。

答案: 可用作电流跟随器

CS放大器中引入源极电阻RS，其作用有（）。

答案: 稳定静态工作点;
控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真;
降低电压增益

CD放大器的性能特征有（）。

答案: 可作电压跟随器使用;
可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换

CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。

答案: 正确

CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。

答案: 错误

CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致，因此被称为“源极跟随器”。

答案: 正确

源极上接有RS的CS放大器以牺牲增益为代价，换取放大器线性输入范围的扩展，因此这个RS越大越好。

答案: 错误

CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定，跟输入信号大小无关。

答案: 错误

第4次半导体器件及应用——晶体三极管第4次测验

发射结（EBJ）正偏，集电结（CBJ）反偏时，BJT工作在（）模式。

答案: 放大

集电结由于轻掺杂，因此其正向导通电压与发射结不相同，则工程上一般对NPN型的三极管取VBC(on)一般大小为（）V。（提示：注意）

答案: 0.4

在放大模式下，集电极电流与基极电流之间的电流增益可表示为（）

答案: β

设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。（）

答案: 放大区

试判断如图所示电路的三极管的工作状态，已知β=100，VBE(on)=0.7V。

答案: 放大区

晶体三极管工作在放大状态时，发射结加电压，集电结加电压。

答案: 正偏、反偏

对于NPN型BJT组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压失真；若产生截止失真，则输出电压失真。（负峰、正峰）

答案: 负峰、正峰；

测量某BJT各电极对地电压值如下，，则该晶体管工作在（）。

答案: 饱和区

如图所示电路中，某放大电路中的器件（三极管或场效应管）三个电极A、B、C的电流用万用表直流电流档测得_=2mA，_B=0.02mA，_C=-2.02mA，则此器件的类型是（）

答案: PNP

测得某放大器中BJT的三个电极

3的对地电位分别为V1=9V，V2=6V，V3=6.7V，则此BJT器件的类型为（）

答案: NPN

下列对BJT小信号模型描述正确的语句有（）。

答案: 小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式;
电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了

如图(a)所示的共射放大电路，加入射极反馈电阻RE后变为图(b)，电路性能出现了怎样的变化？ (a) (b)

答案: 增益变小;
线性输入范围变大;
输入电阻变大

晶体三极管放大器直流偏置参数一般包括（）。

答案: ;
;
;

CB放大器性能特征有（）。

答案: 输入电阻极低，不利于电压放大;
输出电阻较高，不利于电压放大;
电流增益小于1但接近于1，可作电流跟随器

CC放大器性能特征有（）。

答案: 输入电阻高;
输出电阻极低;
电压增益小于1，但接近于1;
电压跟随器，适合作放大器的缓冲级

放大电路如图所示，则下面的说法正确的是（）

答案: 该电路为共集电极放大器（射极跟随器）;
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1

放大器电路如图所示，如果电容E 失效（断开），请问对放大器输入电阻和电压增益有何影响( )

答案: 输入电阻增大;
电压增益减小

共集电极放大电路的特点是：输入电阻Ri较高

答案: 正确

共集电极放大电路的特点是：输出电阻Ro较高

答案: 错误

共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。

答案: 正确

由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小，因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多，尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。

答案: 正确

工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时，需要满足一定的工程条件才能使用，该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小，从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。

答案: 正确

晶体管三种基本组态放大电路中，共基组态输入电阻最低，输出电阻最低。

答案: 错误

NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种

答案: 错误

某个以BJT为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现数字逻辑电路功能，应使其核心器件工作在（）区域。

答案: OX和YZ段

某个以BJT为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现信号放大功能，应使其核心器件工作在（）区域。

答案: XY段

BJT三种基本放大器结构中，能用作电压缓冲级的是（）放大器。

答案: 共集;
CC

BJT三种基本放大器结构中，能用做电流缓冲级的是（）放大器。

答案: 共基;
CB

放大电路如图所示，则下面的说法正确的是（）

答案: 该电路为共集电极放大器（射极跟随器）;
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1

放大器电路如图所示，如果电容失效（断开），请问对放大器输入电阻和电压增益有何影响( )

答案: 输入电阻增大;
电压增益减小

NPN器件工作在放大区时有，PNP器件工作在放大区时有同样的结论。

答案: 错误

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