以下关于“费米能级的变化”说法正确的是：

答案: 从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级。;
费米能级随掺杂浓度的增大向带边（导带底或价带顶）靠近。

答案: 低温区，载流子浓度随温度按指数规律变化;
强电离区，载流子浓度不随温度变化;
本征激发区，载流子浓度随温度按指数规律变化

答案: 载流子浓度不随温度变化;
大部分杂质都已电离;
本征激发的影响可以忽略

第4讲：半导体的导电性 单元测验——第4讲

答案: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）；

答案: 增大

答案: 载流子在电场作用下的定向运动。;
漂移速度是一个平均值，且是一个有限值。;
电子和空穴的漂移运动方向相反，但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。

答案: 迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。;
迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。;
电子的迁移率为正。;
电子的迁移率大于空穴的迁移率。

答案: 电离杂质散射;
声学波散射

答案: 电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用。;
在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波。;
声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大。

答案: 电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时满足欧姆定律。;
电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，偏离线性关系。;
电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，严重偏离欧姆定律。

答案: 总的散射几率是各种散射机构引起的散射几率之和。;
总的散射几率增大了。;
总的平均自由时间更短了。;
载流子的迁移率更小了。

答案: 若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大。;
若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小。;
若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降。

答案: 载流子在电场作用下的定向运动。;
漂移速度是一个平均值，且是一个有限值。;
电子和空穴的漂移运动方向相反，但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。

答案: 迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。;
迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。;
电子的迁移率为正。;
一般而言，电子的迁移率大于空穴的迁移率。

答案: 电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时满足欧姆定律。;
电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，偏离线性关系。;
电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，严重偏离欧姆定律。

答案: 漂移运动是载流子在电场作用下的定向运动，是散射和电场加速的综合体现。;
漂移速度是一个平均值，且是一个有限值。;
电子和空穴的漂移运动方向相反，但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。

第5讲：非平衡载流子 单元测验——第5讲

答案: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子

答案: 复合中心能级在禁带中线附近时，最有利于复合

答案: 在费米能级附近时，最有利于陷阱效应

答案: 样品非常薄时，非平衡载流子边扩散边复合到达样品另一端

答案: 平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动

答案:

答案:

答案: 载流子在浓度梯度作用下的定向运动;
均匀掺杂的半导体，处于热平衡状态时，不产生扩散运动;
不论是平衡载流子还是非平衡载流子，只要存在浓度梯度，都会产生扩散运动

答案: 反映了载流子的迁移率和扩散系数之间的关系;
反映了载流子的漂移运动和扩散运动之间的内在联系;
仅适用于非简并半导体

答案: 无外界作用;
有确定的载流子浓度;
有统一的费米能级;
载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

答案: 有外界作用;
导带和价带之间没有统一的费米能级;
载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方

答案: 电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度;
多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小;
少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大

答案: 间接复合是通过复合中心完成的复合;
表面复合也是间接复合;
间接复合过程中，电子先从导带跃迁到复合中心能级，再跃迁到价带与空穴复合

答案: