A:色散 B:像域弯曲 C:球面像差 D:色像差 答案: 像域弯曲;球面像差;色像差
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A:磨光 B:镶样 C:抛光 D:腐蚀 答案: 磨光;镶样;抛光;腐蚀
A:景深长，立体感强 B:可观察块状样品 C:可观察组织细胞内部结构 D:利用二次电子和背散射电子成像 答案: 可观察组织细胞内部结构
A:二次电子像的分辨率 B:俄歇电子的分辨率 C:背散射电子像的分辨率 D:吸收电子像的分辨率 答案: 二次电子像的分辨率
A:二次电子 B:俄歇电子 C:背散射电子 D:特征X射线 答案: 二次电子;俄歇电子;背散射电子;特征X射线
A:利用特征X射线信号可以进行定性成分分析 B:利用特征X射线信号可以进行定量成分分析 C:利用弹性背散射电子信号可以进行定性成分分析 D:利用弹性背散射电子信号可以进行定量成分分析 答案: 利用特征X射线信号可以进行定量成分分析;利用弹性背散射电子信号可以进行定性成分分析
A:二次电子信号反映样品的成分信息 B:二次电子是入射电子与原子核外的价电子发生非弹性散射时被激发的核外电子 C:二次电子信号反映样品的表面形貌特征 D:二次电子信号的分辨率高 答案: 二次电子是入射电子与原子核外的价电子发生非弹性散射时被激发的核外电子;二次电子信号反映样品的表面形貌特征;二次电子信号的分辨率高
A:可用于样品的表面成分分析 B:产额随原子序数增加而增加 C:产生范围在表层100~1000 nm内 D:可用于样品的表面形貌分析 答案: 可用于样品的表面成分分析;产额随原子序数增加而增加;产生范围在表层100~1000 nm内;可用于样品的表面形貌分析
A:二次电子 B:特征X射线 C:法拉第网杯 D:背散射电子 答案: 二次电子;特征X射线;背散射电子
A:扫描电子显微镜景深比光学显微镜的景深大 B:电子束的入射半角越大，景深越大 C:扫描电子显微镜景深比透射电子显微镜的景深小 D:景深是对样品高低不平的各部位同时聚焦成像的能力范围 答案: 电子束的入射半角越大，景深越大;扫描电子显微镜景深比透射电子显微镜的景深小
A:对于导电性好的样品，只需直接粘在样品台上，即可进行观察 B:镀膜方法为离子溅射或真空蒸发 C:镀膜可以是金银碳，膜厚在10~20 nm D:对于非导电样品，要进行镀膜处理，增加导电性 答案: 对于导电性好的样品，只需直接粘在样品台上，即可进行观察;镀膜可以是金银碳，膜厚在10~20 nm
A:阴极栅 B:正极负极栅极 C:阴极阳极 D:阴极阳极栅极 答案: 阴极阳极栅极
A:横向分辨率为0.01 nm，纵向分辨率为0.01 nm B:可以在高温和低温状态下工作 C:可以对金属样品进行扫描 D:可以在大气真空溶液环境下进行工作 答案: 可以在高温和低温状态下工作;可以在大气真空溶液环境下进行工作
A:
扫描离子电导显微镜
B:
扫描隧道显微镜
C:
原子力显微镜
D:
静电力显微镜
答案:
;
A:可以对原子分子进行操纵 B:一种具有非常高的空间分辨率的三维轮廓仪 C:可以获得样品表面的摩擦力粘附力等信息性 D:分辨率从原子尺度级到毫米量级 答案: 分辨率从原子尺度级到毫米量级
计算机系统
反馈系统
粗调定位系统
压电扫描器
表面效应
原子间相互作用力
量子隧穿效应
量子尺寸效应
A:使用铂丝或者钨丝探针进行扫描 B:当探针与样品表面相距1 nm左右时，会发生隧穿效应 C:探针与样品间距发生变化时，隧穿电流发生指数级改变 D:分辨率可以达到原子尺度级别 答案: 使用铂丝或者钨丝探针进行扫描;当探针与样品表面相距1 nm左右时，会发生隧穿效应;探针与样品间距发生变化时，隧穿电流发生指数级改变;分辨率可以达到原子尺度级别
A:恒定高度模式 B:恒定电流模式 C:恒定扫速模式 D:恒定电压模式 答案: 恒定高度模式;恒定电流模式
A:利用硅悬臂上的硅针尖进行扫描 B:探测针尖和样品之间作用力变化所导致的悬臂弯曲或偏转 C:是利用原子间的吸引力来呈现样品的表面特性 D:可以对导电样品或非导电样品进行观测 答案: 利用硅悬臂上的硅针尖进行扫描;探测针尖和样品之间作用力变化所导致的悬臂弯曲或偏转;可以对导电样品或非导电样品进行观测
A:针尖与悬臂受范德瓦尔斯力和毛细力两种力的作用 B:针尖与样品有轻微的物理接触 C:探针与样品的距离小于1 nm D:利用原子之间吸引力的变化来记录样品表面轮廓的起伏 答案: 利用原子之间吸引力的变化来记录样品表面轮廓的起伏
A:固相 B:气相 C:等离子相 D:液相 答案: 固相;气相;等离子相;液相
A:物相结构 B:晶胞常数 C:晶格类型 D:元素组成 答案: 物相结构;晶格类型;元素组成
A:光子衍射 B:X射线衍射 C:电子衍射 D:中子衍射 答案: 光子衍射;电子衍射;中子衍射
A:入射电子束可以被聚焦 B:入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波 C:入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息 D:入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析 答案: 入射电子束可以被聚焦
A:叠加干涉 B:弹性散射 C:非弹性散射 D:衍射 答案: 弹性散射
A:对 B:错 答案: 错
A:错 B:对 答案: 错
A:错 B:对 答案: 对
A:四方晶系 B:正交晶系 C:立方晶系 D:六方晶系 答案: 四方晶系;正交晶系;立方晶系;六方晶系
A:相互平行 B:成一定角度范围 C:无必然联系 D:相互垂直 答案: 相互垂直
A:1 B:2 C:6 D:4 答案: 4
入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波
入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析
入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
入射电子束可以被聚焦
A:对 B:错 答案: 对
A:分子 B:离子 C:原子 D:电子 答案: 分子;离子;原子
A:衍射角度 B:产生衍射的晶面 C:衍射图谱 D:衍射波的波矢量 答案: 衍射角度;产生衍射的晶面;衍射图谱;衍射波的波矢量
A:方格子结构 B:平行四边形结构 C:同心圆环 D:六边形结构 答案: 方格子结构
A:不受晶体内周期性的原子排布影响 B:在空间某些方向上发生波的相干增强 C:入射的电磁波和物质波与晶体发生作用的结果 D:在空间某些方向上发生波的相干抵消 答案: 不受晶体内周期性的原子排布影响
A:若与内层强束缚电子作用，会发生相干增强的衍射 B:若与外层弱束缚电子作用，会发生非相干散射 C:原子核外电子包括外层弱束缚电子和内层强束缚电子 D:康普顿散射是相干散射 答案: 若与内层强束缚电子作用，会发生相干增强的衍射;若与外层弱束缚电子作用，会发生非相干散射;原子核外电子包括外层弱束缚电子和内层强束缚电子;康普顿散射是相干散射
A:入射电子受原子核的散射作用时，原子核基本不动，电子不损失能量，发生弹性散射 B:入射电子受核外电子的散射作用时，入射电子能量会转移给核外电子，损失部分能量，波长不发生改变，发生非弹性散射 C:电子在物质中的弹性散射大于非弹性散射 D:入射电子受核外电子的散射作用时，入射电子能量会转移给核外电子，损失部分能量，波长发生改变，发生非弹性散射 答案: 入射电子受原子核的散射作用时，原子核基本不动，电子不损失能量，发生弹性散射;电子在物质中的弹性散射大于非弹性散射;入射电子受核外电子的散射作用时，入射电子能量会转移给核外电子，损失部分能量，波长发生改变，发生非弹性散射
A:在弹性散射情况下，晶体内部某些方向的散射波发生相干增强，形成衍射波 B:透射电子显微镜可以看到原子尺度上的结构信息 C:电子衍射强度比X射线高1000倍 D:电子衍射可以提供试样晶体结构原子排列原子种类等信息 答案: 电子衍射强度比X射线高1000倍;电子衍射可以提供试样晶体结构原子排列原子种类等信息
A:h+k+l为奇数 B:不存在系统消光 C:hkl为异性数 D:h+k为奇数 答案: 不存在系统消光
A:220 B:111 C:112 D:200 答案: 112
A:吸收因子 B:结构因子 C:多重性因子 D:角因子 答案: 多重性因子
