A:二次电子 B:特征X射线 C:法拉第网杯 D:背散射电子 答案: 二次电子;特征X射线;背散射电子
本门课程完整答案：点击这里，查看 材料分析方法 知到智慧树答案满分完整版章节测验 z9530
A:扫描电子显微镜景深比光学显微镜的景深大 B:电子束的入射半角越大，景深越大 C:扫描电子显微镜景深比透射电子显微镜的景深小 D:景深是对样品高低不平的各部位同时聚焦成像的能力范围 答案: 电子束的入射半角越大，景深越大;扫描电子显微镜景深比透射电子显微镜的景深小
A:对于导电性好的样品，只需直接粘在样品台上，即可进行观察 B:镀膜方法为离子溅射或真空蒸发 C:镀膜可以是金银碳，膜厚在10~20 nm D:对于非导电样品，要进行镀膜处理，增加导电性 答案: 对于导电性好的样品，只需直接粘在样品台上，即可进行观察;镀膜可以是金银碳，膜厚在10~20 nm
A:阴极栅 B:正极负极栅极 C:阴极阳极 D:阴极阳极栅极 答案: 阴极阳极栅极
A:横向分辨率为0.01 nm，纵向分辨率为0.01 nm B:可以在高温和低温状态下工作 C:可以对金属样品进行扫描 D:可以在大气真空溶液环境下进行工作 答案: 可以在高温和低温状态下工作;可以在大气真空溶液环境下进行工作
A:
扫描离子电导显微镜
B:
扫描隧道显微镜
C:
原子力显微镜
D:
静电力显微镜
答案:
;
A:可以对原子分子进行操纵 B:一种具有非常高的空间分辨率的三维轮廓仪 C:可以获得样品表面的摩擦力粘附力等信息性 D:分辨率从原子尺度级到毫米量级 答案: 分辨率从原子尺度级到毫米量级
计算机系统
反馈系统
粗调定位系统
压电扫描器
表面效应
原子间相互作用力
量子隧穿效应
量子尺寸效应
A:使用铂丝或者钨丝探针进行扫描 B:当探针与样品表面相距1 nm左右时，会发生隧穿效应 C:探针与样品间距发生变化时，隧穿电流发生指数级改变 D:分辨率可以达到原子尺度级别 答案: 使用铂丝或者钨丝探针进行扫描;当探针与样品表面相距1 nm左右时，会发生隧穿效应;探针与样品间距发生变化时，隧穿电流发生指数级改变;分辨率可以达到原子尺度级别
A:恒定高度模式 B:恒定电流模式 C:恒定扫速模式 D:恒定电压模式 答案: 恒定高度模式;恒定电流模式
A:利用硅悬臂上的硅针尖进行扫描 B:探测针尖和样品之间作用力变化所导致的悬臂弯曲或偏转 C:是利用原子间的吸引力来呈现样品的表面特性 D:可以对导电样品或非导电样品进行观测 答案: 利用硅悬臂上的硅针尖进行扫描;探测针尖和样品之间作用力变化所导致的悬臂弯曲或偏转;可以对导电样品或非导电样品进行观测
A:针尖与悬臂受范德瓦尔斯力和毛细力两种力的作用 B:针尖与样品有轻微的物理接触 C:探针与样品的距离小于1 nm D:利用原子之间吸引力的变化来记录样品表面轮廓的起伏 答案: 利用原子之间吸引力的变化来记录样品表面轮廓的起伏
A:固相 B:气相 C:等离子相 D:液相 答案: 固相;气相;等离子相;液相
A:物相结构 B:晶胞常数 C:晶格类型 D:元素组成 答案: 物相结构;晶格类型;元素组成
A:光子衍射 B:X射线衍射 C:电子衍射 D:中子衍射 答案: 光子衍射;电子衍射;中子衍射
A:入射电子束可以被聚焦 B:入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波 C:入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息 D:入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析 答案: 入射电子束可以被聚焦
A:叠加干涉 B:弹性散射 C:非弹性散射 D:衍射 答案: 弹性散射
A:对 B:错 答案: 错
A:错 B:对 答案: 错
A:错 B:对 答案: 对
A:四方晶系 B:正交晶系 C:立方晶系 D:六方晶系 答案: 四方晶系;正交晶系;立方晶系;六方晶系
A:相互平行 B:成一定角度范围 C:无必然联系 D:相互垂直 答案: 相互垂直
A:1 B:2 C:6 D:4 答案: 4
入射电子与样品原子发生弹性散射，散射波相互干涉形成衍射波
入射能量为10~200 KeV的高能电子穿透能力比X射线强，可用于薄膜分析
入射能量为10~500 eV的低能电子可用于分析样品表面1-5个原子层的结构信息
入射电子束可以被聚焦
A:对 B:错 答案: 对
A:分子 B:离子 C:原子 D:电子 答案: 分子;离子;原子
A:衍射角度 B:产生衍射的晶面 C:衍射图谱 D:衍射波的波矢量 答案: 衍射角度;产生衍射的晶面;衍射图谱;衍射波的波矢量
A:方格子结构 B:平行四边形结构 C:同心圆环 D:六边形结构 答案: 方格子结构
A:不受晶体内周期性的原子排布影响 B:在空间某些方向上发生波的相干增强 C:入射的电磁波和物质波与晶体发生作用的结果 D:在空间某些方向上发生波的相干抵消 答案: 不受晶体内周期性的原子排布影响
A:若与内层强束缚电子作用，会发生相干增强的衍射 B:若与外层弱束缚电子作用，会发生非相干散射 C:原子核外电子包括外层弱束缚电子和内层强束缚电子 D:康普顿散射是相干散射 答案: 若与内层强束缚电子作用，会发生相干增强的衍射;若与外层弱束缚电子作用，会发生非相干散射;原子核外电子包括外层弱束缚电子和内层强束缚电子;康普顿散射是相干散射
A:入射电子受原子核的散射作用时，原子核基本不动，电子不损失能量，发生弹性散射 B:入射电子受核外电子的散射作用时，入射电子能量会转移给核外电子，损失部分能量，波长不发生改变，发生非弹性散射 C:电子在物质中的弹性散射大于非弹性散射 D:入射电子受核外电子的散射作用时，入射电子能量会转移给核外电子，损失部分能量，波长发生改变，发生非弹性散射 答案: 入射电子受原子核的散射作用时，原子核基本不动，电子不损失能量，发生弹性散射;电子在物质中的弹性散射大于非弹性散射;入射电子受核外电子的散射作用时，入射电子能量会转移给核外电子，损失部分能量，波长发生改变，发生非弹性散射
A:在弹性散射情况下，晶体内部某些方向的散射波发生相干增强，形成衍射波 B:透射电子显微镜可以看到原子尺度上的结构信息 C:电子衍射强度比X射线高1000倍 D:电子衍射可以提供试样晶体结构原子排列原子种类等信息 答案: 电子衍射强度比X射线高1000倍;电子衍射可以提供试样晶体结构原子排列原子种类等信息
A:h+k+l为奇数 B:不存在系统消光 C:hkl为异性数 D:h+k为奇数 答案: 不存在系统消光
A:220 B:111 C:112 D:200 答案: 112
A:吸收因子 B:结构因子 C:多重性因子 D:角因子 答案: 多重性因子
