电路如图所示,要使得晶体管工作在饱和区,且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V,L=1μm,W=32μm,,忽略沟道长度调制效应,则电阻=( )kΩ,=( )kΩ。
答案: 3.25, 5
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